IS46TR16640ED-15HBLA1-TR
1Gb DDR3 SDRAM 带 ECC,高速数据传输,支持多种功能
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- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS46TR16640ED-15HBLA1-TR
- 商品编号
- C17535284
- 商品封装
- TWBGA-96(9x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 666.5MHz | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 1.425V~1.575V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
商品概述
本文详细介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM带ECC功能的相关信息,包括其特性、ECC功能、选项、速度等级、引脚排列描述、功能描述及上电初始化流程等内容。上电初始化需按特定顺序进行,包括施加电源、等待RESET#释放、启动并稳定时钟等步骤,同时对各引脚电压和信号状态有相应要求。
商品特性
- 标准电压:VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 高速数据传输速率,系统频率高达800 MHz
- 8个内部存储体,可并发操作
- 8n位预取架构
- 可编程CAS延迟
- 可编程附加延迟:0、CL - 1、CL - 2
- 基于tCK的可编程CAS写延迟(CWL)
- 可编程突发长度:4和8
- 可编程突发序列:顺序或交错
- 突发长度动态切换
- 自动自刷新(ASR)
- 自刷新温度(SRT)
- 单比特错误纠正(每64位)
- 对突发长度和数据掩码有限制
- 配置:128Mx8、64Mx16
- 封装:x16为96球FBGA(9mm x 13mm),x8为78球FBGA(8mm x 10.5mm)
- 刷新间隔:7.8 μs(8192周期/64 ms),温度范围 -40°C至85°C;3.9 μs(8192周期/32 ms),温度范围85°C至105°C;1.95 μs(8192周期/16 ms),温度范围105°C至125°C
- 部分阵列自刷新
- 异步复位引脚
- 支持TDQS(终结数据选通,仅x8)
- OCD(片外驱动器阻抗调整)
- 动态ODT(片内终结)
- 驱动器强度:RZQ/7、RZQ/6(RZQ = 240 Ω)
- 写均衡
- 工作温度:汽车级,A1(TC = -40°C至 +95°C);汽车级,A2(TC = -40°C至 +105°C);汽车级,A3(TC = -40°C至 +125°C)
- IS43R83200D-6TL-TR
- IS43TR81280B-107MBLI
- IS46TR16512BL-125KBLA1-TR
- IS46R86400D-6BLA1
- 9FGU0231AKILF
- TFF11084HN/N1,111
- AS4C512M8D4A-75BCN
- SI5338C-B01887-GM
- 9FGU0431AKILF
- 82V3398NLG8
- SI5338C-B03112-GMR
- NDQ48PFQ-8NET TR
- AS4C256M16D4-75BINTR
- SI5338Q-B11604-GM
- SI5338N-B09217-GMR
- THS789PFD
- SI5338A-B11498-GMR
- SI5338A-B11739-GM
- SI5338A-B01239-GMR
- SI5338N-B07996-GMR
- AS4C512M8D4-83BIN

