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ALD310700ASCL

4个P沟道耐压:8V

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD310700ASCL
商品编号: C17533794
商品封装: SOIC-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.305克(g)

商品参数

商品概述

ALD810023/ALD910023 属于 ALD8100xx（四通道）和 ALD9100xx（双通道）系列的超级电容器自动平衡 MOSFET，即 SAB™ MOSFET。SAB MOSFET 采用经过量产验证的 EPAD® 技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。串联连接的超级电容器（也称为超电容器或超级电容）可以通过在每个超级电容器堆栈上连接一个或多个器件的组合来实现漏电流平衡，以防止过电压。 ALD810023 提供了四个 SAB MOSFET 器件各自独特的、精确的运行电压和电流特性，如其“工作电气特性”表所示。这可能是它曾能够平衡多达四个串联连接的超级电容器。 ALD910023 有其自身的一套独特的精确工作电气特性，适用于其两个 SAB MOSFET 器件中的每一个，适用于最多两个串联连接的超级电容器。每个 SAB MOSFET 都具有在 Vt 模式下的精确栅极阈值电压，当栅极-漏极-源极端（VGS = VDS）连接在一起，且漏极-源极电流为 IDS(ON) = 1µA 时，该阈值电压为 2.30V。在这种模式下，输入电压 VIN = VGS = VDS。不同的 VIN 会产生输出电流 IOUT = IDS(ON) 的特性，并导致一个有效可变电阻，其值随 VIN 的变化呈指数形式变化。当 VIN 连接到串联的每个超级电容器上时，它将每个超级电容器平衡到其电压和电流限制范围内。当将 VIN = 2.30V 应用于 ALD810023/ALD910023 时，其 IOUT 为 1µA。对于 VIN 增加 100mV 至 2.40V，IOUT 增加约十倍。对于 ALD910023（ALD810023 为 2.54V）的额外 VIN 增加至 2.52V（2.54V），IOUT 增加一百倍，达到 100µA。相反，当 VIN 减少 100mV 至 2.20V 时，IOUT 减少到其先前值的十分之一，降至 0.1µA。输入电压再降低 100 毫伏，输出电流 IOUT 将会降至 0.01 微安。因此，当一个 ALD810023/ALD910023 SAB 型 MOSFET 与一个充电电压低于 2.10 伏的超级电容器并联时，它几乎不会消耗功率。

商品特性

精密匹配的栅极阈值电压
精密失调电压(Vos):ALD310700A:典型值1mV;ALD310700:典型值2mV
亚阈值电压工作
最低工作电压低于0.2V
最低工作电流低于1nA
微功耗运行
宽动态工作电流范围
指数工作电流范围
匹配的跨导和输出电导
匹配和跟踪的温度特性
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数偏置电流
低输入电容
低输入/输出泄漏电流

应用领域

0.5%精度的电流镜和电流源
低温度系数(<= 50ppm/°C)电流镜/源
能量收集电路
极低电压模拟和数字电路
备用电池电路和电源故障检测器
精密低电平电压钳位
低电平过零检测器
源极跟随器和缓冲器
精密电容式探头和传感器接口
精密电荷检测器和电荷积分器
分立差分放大器输入级
峰值检测器和电平转换器
高端开关和采样保持开关
精密电流倍增器
分立模拟开关/多路复用器
分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个P沟道
	漏源电压(Vdss)	8V
	连续漏极电流(Id)	80mA
	导通电阻(RDS(on))	1.1kΩ
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	20mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	-