- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT15GP60BG
APT15GP60BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT15GP60BG
- 商品编号
- C17531491
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 56A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 65A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.685nF | |
| 输出电容(Coes) | 210pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 15pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 29ns | |
| 导通损耗(Eon) | 130uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 121uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 400V、19A条件下可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 400V、12A条件下可实现200kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具备SSOA额定值
- TFM-150-02-L-D-DS
- MTO-EV037(TC78B025FTG)
- 74LVC1G80GX
- SFP-10OC3-SR-C
- VS701756
- 830-10-011-20-005000
- SIT8208AI-3F-33S-65.000000T
- DF11C-32DP-2V(57)
- 8LT315B18AC
- SIT9003AC-23-33EO-1.00000X
- E35RC-FW115-N
- 1823736
- NTE108
- SIT9003AI-13-33EB-50.00000Y
- DDMC-24C7P-J-K87
- SP-L-0750-203-1%-RLU
- GMA.2B.040.DJ
- 516-120-541-265
- R7011603XXUA
- SIT9365AI-1E1-25N50.000000
- SIT8208AI-8F-28E-77.760000T