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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE108
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 特征频率(fT) | 600MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
NTE108（TO92封装）和NTE108 - 1（TO106封装）是硅NPN晶体管，专为低噪声、高频放大器、1GHz本地振荡器、非中和中频放大器以及上升和下降时间小于2.5ns的非饱和电路而设计。
商品特性
- 集电极 - 发射极电压（VCEO）：15V
- 集电极 - 基极电压（VCBO）：30V
- 发射极 - 基极电压（VEBO）：3V
- 连续集电极电流（IC）：50mA
- 总器件功耗（Ta = +25°C）：625mW
- 25°C以上降额：12mW/°C
- 工作结温范围（Tj）：-55°C至+150°C
- 储存温度范围（Tstg）：-55°C至+150°C
- 结到外壳热阻（RthJC）：+83.3°C/W
- 结到环境热阻（RthJA）：+200°C/W
- SIT9003AI-13-33EB-50.00000Y
- DDMC-24C7P-J-K87
- SP-L-0750-203-1%-RLU
- GMA.2B.040.DJ
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- M83723/59-216ZP
- EHT-113-01-SM-D-SM-P-TR