- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG6302UDW-13
2个P沟道 耐压:25V 电流:150mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6302UDW-13
- 商品编号
- C17530215
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.9pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关
- 280508-1
- 516-090-500-365
- SG-8018CB 166.6600M-TJHPA0
- C202C-YTY-LW65
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- HTST-110-01-H-D
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- AZ9403-1C-5DE
- 822B-DC
- QTM750-112.000MDE-T
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- SN104492D
- 5-1747145-3
- XPERDO-L1-R250-00701
- 630-17W5240-2T2
- GCM21B5C1H822FA16L
- FTLX3971MTC40