IS43TR16512BL-125KBLI-TR
1Gx8、512Mx16,8Gb DDR3 SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性:标准电压:VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。 低电压(L):VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V,-0.067V。 向后兼容1.5V。 高速数据传输速率,系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体,可并发操作。 8n位预取架构
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43TR16512BL-125KBLI-TR
- 商品编号
- C17530166
- 商品封装
- TWBGA-96(10x14)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 88mA | |
| 刷新电流 | 39mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
- IS43LR16160H-6BLI-TR
- IS43R16160D-6TLI-TR
- IS46DR16320C-3DBLA1
- SI5338N-B07692-GMR
- IS66WVQ2M4DBLL-133BLI
- EM6HD08EWUF-10IH
- AS4C64M8D3-12BINTR
- 9DB102BGILFT
- S80KS2562GABHV020
- SI5338A-B09499-GMR
- W989D2DBJX6E TR
- 4RCD0229KB1ATG
- SI5338C-B13347-GMR
- SI5338K-B02174-GM
- SI5338A-B12193-GM
- SI5338P-B04350-GM
- EM6GC08EWUG-10H
- 1305-0-15-80-47-09-04-0
- 6650.4515
- SIT8208AI-8F-25S-8.192000X
- SIT9365AC-4E2-28E200.000000


