4RCD0229KB1ATG

用于RDIMM和LRDIMM。与4DB0232配对用于LRDIMM。32位1:2命令/地址寄存器。1.2V Vdd工作电压。支持最多4个物理rank和8个逻辑rank，原生支持3DS。高级I/O使能控制。支持全速BCOM总线进行数据缓冲控制。自动阻抗校准。新的DDR4节能协议。命令/地址奇偶校验。控制寄存器RCW回读。1MHz I2C总线。

与4RCD023配对用于LRDIMM。双4位双向数据寄存器带差分数据选通。1.2V Vdd工作电压。自动阻抗校准。BCOM奇偶校验。控制寄存器BCW回读。

用于UDIMM、RDIMM、LRDIMM。温度精度高达±0.5℃。512字节EEPROM存储供应商信息。1MHz I2C总线。

所有设备均符合JEDEC标准，并满足严格的可靠性和应用合规性要求。相比DDR3，DDR4可节省高达35%的功耗。支持太字节级DIMM内存。奇偶校验和CRC以提高数据错误恢复能力。改进了调试和系统裕度。

凭借业内最大的产品组合，IDT是唯一能够为Enterprise Server内存模块提供完整的DDR4和DDR3芯片组解决方案的公司。IDT的DDR4 Registered Clock Driver、Data Buffer和温度传感器构成了业界首个针对DDR4注册双列直插式内存模块（RDIMMs）和负载减少双列直插式内存模块（LRDIMMs）的完整芯片组。随着DDR4数据速率提升至3.26 Gb/s及以上，RDIMM和LRDIMM作为速度可扩展的内存技术所具有的明显优势预计将推动其在多种内存密集型计算和存储应用中的广泛采用。通过灵活的I/O控制、时序和电压校准以及控制寄存器可编程性，IDT的DDR4 Registered Clock Driver (4RCD023) 和 Data Buffer (4DB0232) 能够在所有JEDEC定义的DDR4 LRDIMM和RDIMM拓扑上实现更高密度下的更快速率。DIMM拓扑配置和DRAM信息存储于IDT的温度传感器EEPROM (TSE2004)中。基于所有DDR代次的成功芯片组引入经验，IDT的设备将为您的应用提供可靠的性能。

• 应用包括需要更深内存、更高数据速率和最低功耗的企业服务器、数据中心、工作站、存储设备和通信设备。