IS43TR16512BL-125KBL-TR
1Gx8、512Mx16,8Gb DDR3 SDRAM
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- 描述
- 特性:标准电压:VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。 低电压(L):VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V,-0.067V。 向后兼容1.5V。 高速数据传输速率,系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体,可并发操作。 8n位预取架构
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43TR16512BL-125KBL-TR
- 商品编号
- C17530108
- 商品封装
- TWBGA-96(10x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 88mA | |
| 刷新电流 | 39mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
- IS46TR16256BL-107MBLA2-TR
- IS46R16160D-6TLA1
- IS43QR16512A-083TBLI-TR
- IS46QR16512A-083TBLA2
- IS43LR16160H-6BL-TR
- AS4C8M32MSA-6BIN
- EM639165TS-5G
- AS1C1M16P-70BINTR
- SI5338N-B12439-GM
- W978H6KBVX1E
- SI5338L-B13459-GM
- SI5338K-B14298-GMR
- SI5334C-B14075-GMR
- SI5334C-B13878-GMR
- NDB26PFC-4DIT
- SI5334C-B12013-GM
- TFF11152HN/N1,111
- IS43LQ32256A-062BLI-TR
- NDQ46PFP-8XET TR
- SI5334J-B00327-GM
- AS4C256M16D3LC-12BANTR

