商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 16A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 直流电流增益(hFE) | 15 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 4MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 250uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
NTE388(NPN)和NTE68(PNP)是采用TO3封装的互补硅功率晶体管,专为高功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计。
商品特性
- 高安全工作区:2A @ 80V
- 高直流电流增益:h_FE = 15 最小值 @ I_C = 8A
应用领域
高功率音频、磁盘磁头定位器、线性应用
- RD25S1S5000
- SIT1602ACF22-25E-50.000000
- QSCF500Q2R2B1GV001T
- SIT9365AI-1B2-33E166.666666
- 5-103165-3
- 186B20
- TEG-MGBS80-C
- 4-284931-3
- XNH1ZUY46D
- SI5338M-B04513-GMR
- SI5338B-B13840-GMR
- VSC8115XYA-06-T
- SI5338A-B07656-GMR
- IS43R16320D-6BL-TR
- SI5338C-B11101-GMR
- SI5338N-B12605-GM
- AS4C32M32MD2A-25BINTR
- AS4C512M16D3LA-10BINTR
- U2102B-MY
- W66BP6NBUAGJ TR
- SI5338K-B11540-GM

