PJQ5866A-AU_R2_000A1
2个N沟道 耐压:60V 电流:40A 电流:7A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5866A-AU_R2_000A1
- 商品编号
- C17527710
- 商品封装
- DFN5060B-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.574nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品概述
NPTB00025氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）是一款针对直流至4 GHz工作频率优化的功率晶体管。该器件支持连续波（CW）、脉冲和线性工作模式，输出功率可达25 W。这款晶体管采用空气腔陶瓷封装。
商品特性
- 针对宽带工作（直流 - 4 GHz）进行优化
- 25 W P3dB连续波窄带功率
- 10 W P3dB连续波宽带功率（0.05 - 1 GHz）
- 可在高达32 V电压下工作
- 100%射频测试
- 热增强型表面贴装封装
- 高可靠性镀金工艺
- 受EAR99出口管制
- 符合RoHS标准
应用领域
- 陆地移动无线电
- 无线基础设施
- 工业、科学和医疗（ISM）频段
- 甚高频/特高频/L/S波段雷达
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