NTE55
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 30MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
NTE54（NPN）和NTE55（PNP）是采用TO220封装的硅互补晶体管，设计用于音频放大器应用中的高频驱动。
商品特性
- 直流电流增益指定至4A：hFE = 40（最小值），@ IC = 3A；hFE = 20（最小值），@ IC = 4A
- 集电极 - 发射极维持电压：VCEO(sus) = 150V（最小值）
- 高电流增益 - 带宽积：fT = 30MHz（最小值），@ IC = 500mA
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