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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE55
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 30MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
NTE54（NPN）和NTE55（PNP）是采用TO220封装的硅互补晶体管，设计用于音频放大器应用中的高频驱动。
商品特性
- 直流电流增益指定至4A：hFE = 40（最小值），@ IC = 3A；hFE = 20（最小值），@ IC = 4A
- 集电极 - 发射极维持电压：VCEO(sus) = 150V（最小值）
- 高电流增益 - 带宽积：fT = 30MHz（最小值），@ IC = 500mA
- 0741620440
- LRW0805WJ16NGG001E
- SG-8018CG 30.0000M-TJHPA0
- SIT8208AC-2F-28S-31.250000T
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- SIT8208AC-GF-28E-28.636300X
- S1DAL
- 545CCA10M0000CCGR
- SBH21-NBPN-D32-ST-BK
- 656V23304C2T
- M80-8430442
- AL03006-1847-76-G1
- SIT8208AC-33-18S-32.768000
- 8LT321Z41BN
- N3314-6202RB
- 5102325-4
- NT08475F4500B1F
- CMB1510-0000-000N0U0A40G
- 600-137-15
- AMPDAFI-A04