R6012JNXC7G

1个N沟道耐压:600V 电流:12A

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品牌名称: ROHM(罗姆)
商品型号: R6012JNXC7G
商品编号: C17524591
商品封装: TO-220FM
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。650V CoolMOS E6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此生产的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管。极低的开关损耗、换相损耗和传导损耗与极高的耐用性相结合，使得谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。 ThinPAK是一种用于高压MOSFET的新型无引脚SMD封装。这种新封装的占位面积非常小，仅为64mm²（相比之下，D²PAK为150mm²），且高度极低，仅为1mm（相比之下，D²PAK为4.4mm）。显著更小的封装尺寸与业界领先的低寄生电感相结合，为设计师在追求功率密度的设计中提供了一种有效减小系统解决方案尺寸的新方法。

商品特性

快速反向恢复时间(trr)
低导通电阻
快速开关速度
驱动电路可简化
无铅镀层;符合RoHS标准

应用领域

开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	390mΩ@15V
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	28nC@15V
	输入电容(Ciss)	900pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-
	配置	-