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SQW61N65EF-GE3实物图
  • SQW61N65EF-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQW61N65EF-GE3

1个N沟道 耐压:650V 电流:62A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQW61N65EF-GE3
商品编号
C17524209
商品封装
TO-247AD​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)62A
导通电阻(RDS(on))52mΩ@10V
耗散功率(Pd)625W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)229nC@10V
输入电容(Ciss)7.379nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)310pF

商品概述

一款700 W的超耐用LDMOS功率晶体管,适用于HF至600 MHz频段的广播和工业应用。

商品特性

  • 采用汽车级E系列技术的快速体二极管MOSFET
  • 降低trr、Qrr和IRRM
  • 低品质因数(FOM)Ron × Qg
  • 低输入电容(Ciss)
  • 因Qrr降低,开关损耗低
  • 工作温度达175 °C
  • 通过AEC-Q101认证
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 有雪崩能量额定值(UIS)

应用领域

  • 汽车车载充电器
  • 汽车DC/DC转换器

数据手册PDF