商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 6个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 三相桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品特性
- 功率 MOS 7 型快恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)
- 低导通电阻(RDson)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引线框架
- 高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
- 1356.35.0003
- SIT8208AC-81-18S-54.000000
- RGT8NL65DGTL
- MP-2016-1100-35-80
- EJH-105-02-F-D-SM
- SIT8208AI-8F-33S-54.000000Y
- IPD1-09-D-P
- 724-0001-08
- 360-40-106-00-001000
- FTLX3671MTC34-C
- EC2600ETTTS-12.000M TR
- DD12.2111.111
- MHBBWT-0000-000C0UC230H
- 5952-BK
- OVM7251-EAAR-AA0A
- 4-643820-8
- SE8D30GHM3/I
- PS0SXDS6B
- M24308/4-19Z
- SG-8018CB 17.734475M-TJHSA0
- ADUM4146BRWZ

