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MSCSM170HM45CT3AG

4个N沟道耐压:1.7kV 电流:64A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: MSCSM170HM45CT3AG
商品编号: C17514519
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ALD310704A/ALD310704高精度单片四P沟道MOSFET阵列采用成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。该器件有四通道版本，是EPAD匹配对MOSFET系列的成员。ALD310704A/ALD310704是广受欢迎的ALD110804A/ALD110804精密阈值器件的P沟道版本。这两个MOSFET系列共同实现了基于互补精密N沟道和P沟道MOSFET阵列的电路。 ALD310704A/ALD310704适用于低电压和低功率小信号应用，其特点是具有精确的 -0.40V栅极阈值电压，这使得能够设计出工作电压非常低的电路，例如使用 < +1.0V电源的电路，其中电路在ALD310704A/ALD310704的阈值电压以下工作。此特性还扩展了输入/输出信号的工作范围，特别是在极低工作电压环境中。使用这些低阈值精密器件，可以构建具有多个级联级的电路，使其在极低的电源或偏置电压水平下工作。 ALD310704A/ALD310704 MOSFET旨在实现器件电气特性的出色匹配。栅极阈值电压VGS(th)精确设置为 -0.40V ± 0.02V，典型失调电压仅为 ± 0.001V（1mV）。由于这些器件位于同一单片芯片上，它们还具有出色的温度跟踪特性。它们是广泛的精密模拟应用的通用设计组件，例如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。这些器件在有限工作电压应用中也表现出色，例如极低电平精密电压钳位。除了匹配对电气特性外，每个单独的MOSFET都具有良好控制的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件旨在提供最小的失调电压和差分热响应，它们还可用于 -0.40V至 -8.0V（±0.20V至 ±4.0V）供电系统中的开关和放大应用，在这些系统中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，其工作方式与标准增强型P沟道MOSFET相同。然而，栅极阈值电压的精度带来了两个关键的额外特性或操作特点。首先，在栅极阈值电压或低于栅极阈值电压（亚阈值区域）时，工作电流水平随栅极偏置电压呈指数变化。其次，电路可以在亚阈值区域以nA的偏置电流和nW的功耗进行偏置和工作。

商品特性

精确匹配的栅极阈值电压
精确的失调电压（Vos）：ALD310704A：典型值1mV；ALD310704：典型值2mV
亚阈值电压工作
最低工作电压小于0.4V
最低工作电流超低，小于1nA
微功耗运行
宽动态工作电流范围
指数型工作电流范围
匹配的跨导和输出电导
匹配和跟踪的温度特性
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数偏置电流
低输入电容
低输入/输出泄漏电流

应用领域

0.5%精度电流镜和电流源
低温度系数（<= 50ppm/°C）电流镜/源
能量收集电路
极低电压模拟和数字电路
备用电池电路和电源故障检测器
精密低电平电压钳位
低电平过零检测器
源极跟随器和缓冲器
精密电容式探头和传感器接口
精密电荷检测器和电荷积分器
分立差分放大器输入级
峰值检测器和电平转换器
高端开关和采样保持开关
精密电流乘法器
分立模拟开关/多路复用器
分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	1.7kV
	连续漏极电流(Id)	64A
	导通电阻(RDS(on))	45mΩ@20V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	319W
	阈值电压(Vgs(th))	3.2V
	栅极电荷量(Qg)	178nC@20V
	输入电容(Ciss)	3.3nF@1000V
	工作温度	-40℃~+175℃