商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 143A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 833W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.036uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 10.2nF |
商品特性
- CoolMOSTM:
- 超低 RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 并联碳化硅(SiC)肖特基二极管:
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向压降(VF)具有正温度系数
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5 电源连接器
- 高度集成
- 优势:
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 低外形
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-电机控制-开关模式电源-不间断电源
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