商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 143A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,71.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 833W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.036uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 10.2nF |
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