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DMHC10H170SFJ-13
N沟道+P沟道 耐压:100V 电流:2.9A
- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMHC10H170SFJ-13
- 商品编号
- C17503180
- 商品封装
- VDFN5045-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0935克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.239nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。高效桥式整流器
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
应用领域
- 高效电源管理应用
- 高效桥式整流器
- 516-056-541-522
- 621-025-668-513
- 621-037-368-536
- SN0312100DBVR
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- 178780-3
- ES2GA R3G
- CWX813-072.0M
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- IC0805B331R-10