HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN4B01JE(TE85L,F)
- 商品编号
- C17503199
- 商品封装
- SOT-553
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品概述
东芝晶体管,包含硅NPN外延型(PCT工艺)和硅PNP外延型(PCT工艺),用于音频通用放大应用。
商品特性
- Q1:高电压和高电流,VCEO = 50V,IC = 150mA(最大);高hFE,hFE = 120 ~ 400;出色的hFE线性度,hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)
- Q2:高电压和高电流,VCEO = -50V,IC = -150mA(最大);高hFE,hFE = 120 ~ 400;出色的hFE线性度,hFE(IC = -0.1mA)/ hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)
- 178780-3
- ES2GA R3G
- CWX813-072.0M
- 0444282401
- S-1701C3025-U5T1G
- IC0805B331R-10
- SIT8208AC-8F-28S-8.192000X
- 2510-38K
- 45206-620230
- PM5175.562NLT
- S4924-103J
- NTCLE100E3109JT2
- SIT8208AI-3F-33E-32.768000T
- 250-50RM-S
- TCSD-02-01-L
- BAW56TB_R1_00001
- 151-10-308-00-011000
- DS1245YP-70IND+
- FWLF1632R27-C
- 530FA000234DGR
- SG-8018CG 50.2800M-TJHPA0
