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HN4B01JE(TE85L,F)实物图
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HN4B01JE(TE85L,F)

HN4B01JE(TE85L,F)

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
HN4B01JE(TE85L,F)
商品编号
C17503199
商品封装
SOT-553​
包装方式
编带
商品毛重
0.01825克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)100mW
直流电流增益(hFE)120
属性参数值
特征频率(fT)80MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
工作温度-
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN+1个PNP

商品概述

东芝晶体管,包含硅NPN外延型(PCT工艺)和硅PNP外延型(PCT工艺),用于音频通用放大应用。

商品特性

  • Q1:高电压和高电流,VCEO = 50V,IC = 150mA(最大);高hFE,hFE = 120 ~ 400;出色的hFE线性度,hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)
  • Q2:高电压和高电流,VCEO = -50V,IC = -150mA(最大);高hFE,hFE = 120 ~ 400;出色的hFE线性度,hFE(IC = -0.1mA)/ hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)

数据手册PDF