ALD212904SAL
2个N沟道 耐压:10.6V 电流:80mA
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- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD212904SAL
- 商品编号
- C17502279
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 420mV@20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代互补MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低输入电容-适用于电源应用的高BVdss额定值-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101标准,具备高可靠性
应用领域
- 电机控制-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能