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ALD210800PCL

4个N沟道耐压:10.6V 电流:80mA

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD210800PCL
商品编号: C17504641
商品封装: PDIP-16
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ALD210800A/ALD210800精密N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些四通道单片器件是ALD110800A/ALD110800 EPAD MOSFET系列的增强型产品，具有更高的正向跨导和输出电导，特别是在非常低的电源电压下。 ALD210800A/ALD210800适用于低电压、低功耗小信号应用，具有零阈值电压特性，可使输入/输出信号以地为参考的电路设计在更宽的工作电压范围内工作。使用这些器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。 ALD210800A EPAD MOSFET的显著特点是，其栅极阈值电压VGS(th)精确设置为0.00V ±0.01V（在VDS = 0.1V、ID = +10μA时），典型失调电压仅为±0.001V（1mV）。它们基于单块芯片构建，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常开电路。除了精密匹配对的电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好可控的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件针对最小失调电压和差分热响应进行了优化，可用于+0.1V至+10V（±0.05V至±5V）供电系统中的开关和放大应用，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VDS > 0.00V时，器件呈现增强模式特性；而当VGS < 0.00V时，器件在亚阈值电压区域工作，呈现传统的耗尽模式特性，其关断和亚阈值水平控制良好，与标准增强模式MOSFET的工作方式相同。 ALD210800A/ALD210800具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。一系列四张名为“正向传输特性”的图表，其中第二张和第三张副标题为“扩展（亚阈值）”和“进一步扩展（亚阈值）”，第四张副标题为“低电压”，展示了这些器件的宽动态工作范围。

商品特性

Zero ThresholdTM VGS(th) = 0.00 V \pm 0.01 V
VOS(VGS(th)匹配)最大至2mV/10mV
亚阈值电压(微功耗)工作
最低工作电压< 100mV
最低工作电流< 1nA
最低工作功率< 1nW
工作电流范围> 100,000,000:1
高跨导和输出电导
低RDS(ON),为25Ω
输出电流> 50mA
匹配和跟踪的温度系数
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数
低输入电容和泄漏电流

应用领域

-低开销电流镜和电流源-零功耗常开电路-能量收集检测器-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-极低电平电压钳位-极低电平过零检测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值检测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流乘法器-分立匹配模拟开关/多路复用器-微功耗分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10V
	连续漏极电流(Id)	70mA
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	20mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-