- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3035LWN-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:5.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3035LWN-7
- 商品编号
- C17501978
- 商品封装
- VDFN3020-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 399pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-直流电机控制-直流-交流逆变器
- 627-2WK2222-4TA
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