BLP15H9S10Z
BLP15H9S10Z
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLP15H9S10Z
- 商品编号
- C17501288
- 商品封装
- SOT-1482-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 106V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@6.4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 4.2pF |
商品概述
适用于基站应用的120 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2200 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具备出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
适用于2110 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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