商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 177V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@5.85V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.71pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
CLF1G0035 - 100P和CLF1G0035S - 100P是100 W通用宽带氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），可在直流至3.5 GHz的频率范围内使用。
商品特性
- 高击穿电压支持在VDS = 48 V时进行E类操作
- 适用于VDS = 50 V和55 V
- 最高可在VDS = 55 V下通过认证
- 在30 V至55 V范围内进行特性表征,以扩展功率范围
- 易于进行功率控制
- 集成双面ESD保护,支持C类操作并可完全关断晶体管
- 具备出色的耐用性,无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作而设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 二氧化碳(CO2)激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达
其他推荐
- SIT1602BC-72-25N-30.000000
- DPD11612
- A41S71A
- MILS1812R-684K
- STMM-107-02-SM-D-SM-K
- BPSC000606203R3TS0
- SIT1602BC-83-XXN-25.000000
- GCM1885C1H8R5CA16D
- SG-8018CB 121.3060M-TJHPA0
- 09185507814
- 620AS046MER16
- 4613-0-31-01-30-14-04-0
- SXO21C3C171-20.000M
- 629-21W4650-2N2
- XPEBWT-L1-R250-008E8
- S7A25025-155.520-L-X-R
- S1JL RUG
- 1N2469
- SIT9365AI-2E2-28E75.000000
- L128-2780HA35000B4
- VS-VSKV56/06