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ALD110800ASCL

4个N沟道耐压:10.6V

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD110800ASCL
商品编号: C17499094
商品封装: SOIC-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.305克(g)

商品参数

商品概述

ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 是高精度单片四/双 N 沟道 MOSFET。它们适用于低电压小信号应用,具有零阈值电压特性,可减少或消除输入到输出的电压电平偏移。这些配对的 MOSFET 旨在实现出色的器件电气特性匹配,阈值电压精确设置为 +0.00V ±0.01V,典型失调电压仅为 ±0.001V(1mV)。它们还具有出色的温度系数跟踪特性。作为设计组件,它们可广泛应用于各种模拟应用。每个单独的 MOSFET 也具有良好控制的参数。这些器件专为实现最小失调电压和差分热响应而设计,适用于 +0.2V 至 +10V 系统中的开关和放大应用,这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件的 VGS(th) 设置为 +0.00V,使其既属于增强型器件,也属于耗尽型器件。当栅极设置为 0.00V 时,在 VDS = 0.1V 条件下,漏极电流为 +1μA。这些器件展现出标准增强型 MOSFET 良好控制的关断和亚阈值特性。ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 具有高输入阻抗(10^12Ω)和高直流电流增益(>10^8)。

商品特性

精确的零阈值电压模式
在 VGS = 0.00V 时,标称 RDS(ON) 为 104 KΩ
MOSFET 之间特性匹配
批次间参数控制严格
VGS(th) 匹配(VOS)最大为 2mV 和 10mV
正、零和负 VGS(th) 温度系数
低输入电容
低输入/输出泄漏电流

应用领域

-能量收集电路-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-低电平电压钳位和过零检测器-源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-差分放大器输入级-高端开关-峰值检测器和电平转换器-采样与保持-电流倍增器-模拟开关/多路复用器-电压比较器和电平转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	20mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-