- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
F3L400R12PT4B26
具有有源‘中性点钳位2’拓扑和PressFIT/NTC的IGBT模块，具备低开关损耗、低VcEsat、Trench IGBT 4技术、隔离底板、紧凑设计和PressFIT连接技术
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- F3L400R12PT4B26
- 商品编号
- C17492407
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.15kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 600A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 800A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3uC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 25nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 1.35nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 200ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 400ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.3mJ；8.75mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 18mJ；20mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
- SG-8018CE 156.2000M-TJHSA0
- 292204-2
- SIT8208AC-8F-28S-72.000000Y
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- 550T102M3F0A
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- DS320PR810-SMP-EVM
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