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AS4C256M32MD4-062BAN

2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4内存

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描述: 该LPDDR4 SDRAM支持1或2个通道，每个通道有8个bank和16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持完全同步操作，并具有内部预取和高带宽。
品牌名称: Alliance Memory
商品型号: AS4C256M32MD4-062BAN
商品编号: C17490411
商品封装: FBGA-200(10x14.5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.842克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	写入均衡功能；片上纠错码；内置温度传感器；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

LPDDR4 SDRAM 每个器件可配置为 1 或 2 个通道，每个通道有 8 个存储体和 16 位。该产品采用双数据速率架构实现高速运行。双数据速率架构本质上是 16n 预取架构，其接口设计为在 I/O 引脚每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线操作，预取 16n 位以实现非常高的带宽。

商品特性

配置：
- 每个器件 2 通道为 x32（AS4C64M32MD4、AS4C128M32MD4、AS4C256M32MD4）
- 每个器件 1 通道为 x16（AS4C128M16MD4、AS4C256M16MD4）
- 每个通道有 8 个内部存储体
片上 ECC：
- 单比特错误纠正（每 64 位），可最大化可靠性
- 每个通道可选 ERR 输出信号，指示 ECC 事件发生
- ECC 寄存器，控制 ECC 功能
低电压核心和 I/O 电源：
- VDD2 / VDDQ = 1.06 - 1.17V，VDD1 = 1.70 - 1.95V
- LVSTL（低电压摆幅终端逻辑）I/O 接口
- 内部 VREF 和 VREF 训练
动态 ODT：
- DQ ODT：VSSQ 终端
- CA ODT：VSS 终端
可选输出驱动强度（DS）
最大时钟频率：1.6GHz（单通道 3.2Gbps）
16 位预取 DDR 数据总线
单数据速率（多周期）命令/地址总线
每个数据字节的双向/差分数据选通（DQS、DQS（上划线））
DMI 引脚支持写数据掩码和 DBI 功能
可编程读和写延迟（RL/WL）
可编程和动态突发长度（BL = 16、32）
支持非目标 DRAM ODT 控制
按存储体定向刷新，实现并发存储体操作并便于命令调度
ZQ 校准
工作温度：
- 汽车 A2（TC = -40°C ~ 105°C）
片上温度传感器控制自刷新速率
片上温度传感器，其状态可从 MR4 读取
符合 RoHS 标准的“绿色”封装
封装：
- 2Gb/4Gb：200 球 FBGA（10mm x 14.5mm x 0.8mm）
- 8Gb：200 球 FBGA（10mm x 14.5mm x 1.1mm）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	-
	时钟频率(fc)	1.6GHz
	存储容量	8Gbit
	工作电压	1.06V~1.17V；1.7V~1.95V