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IS46TR16640ED-125KBLA2

1Gb DDR3 SDRAM 带 ECC，高速数据传输，支持多种功能

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品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS46TR16640ED-125KBLA2
商品编号: C17490336
商品封装: TWBGA-96(9x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动预充电；自动重置；自动刷新；高速时钟同步

商品概述

该文档介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM带ECC功能的相关信息，包括产品特性、ECC功能、选项配置、地址表、引脚说明、功能描述以及上电初始化流程等。上电初始化时需按特定顺序操作，如先施加电源，RESET#保持低电平一段时间，时钟稳定后CKE激活等，同时对电压、引脚电平、ODT信号等有相应要求。

商品特性

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
高速数据传输率，系统频率高达800MHz
8个内部存储体，可并发操作
8n位预取架构
可编程CAS潜伏期
可编程附加潜伏期：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写潜伏期（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
即时BL切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
单比特错误纠正（每64位）
突发长度和数据掩码限制
配置：128Mx8、64Mx16
封装：x16为96球FBGA（9mm x 13mm），x8为78球FBGA（8mm x 10.5mm）
刷新间隔：7.8μs（8192周期/64ms），Tc = -40°C至85°C；3.9μs（8192周期/32ms），Tc = 85°C至105°C；1.95μs（8192周期/16ms），Tc = 105°C至125°C
部分阵列自刷新
异步RESET引脚
支持TDQS（终结数据选通）（仅x8）
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片上终结）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）
写校准
工作温度：汽车级，A1（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级，A2（Tc = -40°C至+105°C）；汽车级，A3（Tc = -40°C至+125°C）

数据手册PDF

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