AS4C8M32MSB-6BINTR

AS4C8M32MSB系列是高性能CMOS动态随机存取存储器（DRAM），组织形式为8M x 32。这些器件采用先进的电路设计，可提供低工作电流和极低的待机电流。该器件符合JEDEC标准的低功耗SDRAM规范。

Alliance 256Mb SDRAM是一种四存储体DRAM，工作电压为1.8V，包含一个同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存）。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程的顺序连续访问编程数量的位置。访问从ACTIVE命令的寄存开始，随后是READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0和BA1选择存储体，A0 - A11选择行）。与READ或WRITE命令同时寄存的地址位（A0 - A8）用于选择突发访问的起始列位置。SDRAM在正常运行前必须进行初始化。以下部分提供了有关器件初始化、寄存器定义、命令描述和器件操作的详细信息。

SDRAM必须以预定义的方式上电并初始化。未按指定的操作程序可能会导致操作不确定。一旦向VDD和VDDQ（同时）供电且时钟稳定（满足交流特性中的时钟规格），SDRAM在发出除COMMAND INHIBIT或NOP之外的任何命令之前需要200μs的延迟。在200μs延迟期间，应至少应用一次COMMAND INHIBIT或NOP。200μs延迟后，应应用PRECHARGE命令。然后必须对所有存储体进行预充电，从而使器件处于所有存储体空闲状态。进入空闲状态后，必须执行两个AUTO REFRESH周期。AUTO REFRESH周期完成后，SDRAM即可进行模式寄存器编程。由于模式寄存器上电时处于未知状态，因此在应用任何操作命令之前应加载该寄存器。

有两个模式寄存器包含实现低功耗的设置。下面讨论这两个寄存器：模式寄存器和扩展模式寄存器。模式寄存器用于定义SDRAM的特定操作模式。此定义包括突发长度、突发类型、CAS延迟、操作模式和写突发模式的选择。模式寄存器通过LOAD MODE REGISTER命令进行编程，并将保留存储的信息，直到再次编程或器件掉电。模式寄存器位M0 - M2指定突发长度，M3指定突发类型（顺序或交错），M4 - M6指定CAS延迟，M7和M8指定操作模式，M9指定宽度突发模式，M10、M11、M12和M13应设置为零。必须在所有存储体空闲时加载模式寄存器，并且控制器在启动后续操作之前必须等待指定的时间。违反这些要求中的任何一项都将导致操作不确定。

对SDRAM的读写访问是突发式的。突发长度是可编程的。突发长度决定了给定READ或WRITE命令可以访问的最大列位置数。顺序和交错突发类型都可以选择1、2、4或8个位置的突发长度，顺序类型还可以选择全页突发。全页突发与BURST TERMINATE命令结合使用，以生成任意突发长度。不应使用保留状态，因为可能会导致操作不确定或与未来版本不兼容。当发出READ或WRITE命令时，会有效选择一个等于突发长度的列块。该突发的所有访问都在这个块内进行，这意味着如果到达边界，突发将在块内回绕。当突发长度设置为2时，由A1 - A8唯一选择该块；当突发长度设置为4时，由A2 - A8选择；当突发长度设置为8时，由A3 - A8选择。剩余（最低有效）地址位用于选择块内的起始位置。如果到达边界，全页突发将在页内回绕。突发类型可以设置为顺序或

• 标准SDRAM功能
• 可编程突发长度：1、2、4、8或全页
• 64ms刷新周期（8K周期）
• 符合JEDEC标准
• 自动温度补偿自刷新（TCSR）
• 部分阵列自刷新节能模式
• 深度掉电模式
• 驱动强度控制
• 工业级工作温度范围（-40°C ~ +85°C）
• LVCmos兼容IO接口
• 90球FBGA封装，球间距0.8mm（8mm x 13mm）
• AS4C8M32MSB：无铅无卤