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场效应管(MOSFET)
APTM60A11FT1G
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引脚图
此图展示了型号为 APTM60A11FT1G 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 APTM60A11FT1G 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
APTM60A11FT1G
2个N沟道 耐压:600V 电流:40A
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
APTM60A11FT1G
商品编号
C17489424
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
-
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
132mΩ@10V
耗散功率(Pd)
390W
阈值电压(Vgs(th))
5V@2.5mA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
330nC@10V
输入电容(Ciss)
10.552nF
反向传输电容(Crss)
108pF
工作温度
-40℃~+150℃
配置
半桥
输出电容(Coss)
1.21nF
数据手册PDF
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