商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 273nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.761nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 3.137nF |
商品特性
- CoolMOSTM
- 超低导通电阻(RDSon)
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 并联碳化硅(SiC)肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压(VF)具有正温度系数
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引脚框架
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 高度集成
应用领域
- 电机控制
- 开关电源
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐