商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 3kV | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V@15V,42A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 72ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 445ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 1.7us | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 直接铜键合（DCB）基板上的硅芯片
- 隔离安装表面
- 3000V~电气隔离
- 高阻断电压
- 高峰值电流能力
- 低饱和电压
- 正向偏置安全工作区（FBSOA）额定
- 短路安全工作区（SCSOA）额定
- 低栅极驱动要求
- 高功率密度
应用领域
- 激光发生器
- 电容放电电路
- 交流开关
- 保护电路