商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
适用于多种应用的500 W LDMOS功率晶体管，如工业、科学和医疗（ISM）领域、射频等离子照明以及423 MHz至443 MHz频率范围内的除霜应用。
商品特性
- 高性能功率射频封装
- 极高的击穿电压,增强耐用性
- 低热阻
- 采用氮化物钝化芯片,提高可靠性
应用领域
- 高功率科学射频功率发生器及放大器应用
- 医疗射频功率发生器及放大器应用
- 工业射频功率发生器及放大器应用
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