商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 317A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,158.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 448nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 8.72nF |
商品概述
IGN1011L1200和IGN1011L1200S是高功率氮化镓（GaN）基碳化硅（SiC）射频功率晶体管，专为满足敌我识别（IFF）/二次监视雷达（SSR）电子系统的独特需求而设计。它们可在1030 MHz和1090 MHz两个频率下工作。在模式S扩展长度消息（ELM）脉冲条件[48x（导通32μs，关断18μs），长期占空比6.4%]下，它们可提供最低1200 W的峰值输出功率，典型增益>17 dB，效率达85%。它们采用50 V电源电压供电。为实现最佳热效率，晶体管采用带环氧密封陶瓷盖的金属基封装。
商品特性
- 氮化镓基碳化硅高电子迁移率晶体管（HEMT）技术
- 输出功率>1200 W
- 输入阻抗预匹配
- 极高效率 - 高达85%
- 能够承受20:1的电压驻波比（VSWR）失配
- 在模式S ELM脉冲条件下进行100%射频测试
- 符合RoHS和REACH标准
应用领域
- L波段电子敌我识别（IFF）和二次监视雷达（SSR）系统
- 适用于上行链路和下行链路（应答器）
- 也适用于标准模式S应用
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