商品参数
参数完善中
商品特性
- 反射式，50 Ω 设计
- 低插入损耗：2.0 GHz 以下典型值为 0.6 dB，3.5 GHz 以下典型值为 0.7 dB
- 高隔离度：2.0 GHz 以下典型值为 50 dB，3.5 GHz 以下典型值为 46 dB
- 高功率处理能力：RF 输入功率在 TCASE = 85℃ 时，连续波 (Cw) 最大工作值为 43 dBm，绝对最大额定值为 46.5 dBm
- 高线性度：0.1 dB 压缩点 (P0.1dB) 典型值为 46 dBm，输入三阶截点 (IP3) 在 2 GHz 以下典型值为 68 dBm，在 3.5 GHz 以下典型值为 65 dBm
- ESD 等级：人体模型 (HBM) 2 kV，等级 2；带电设备模型 (CDM) 1.25 kV
- 单正电源：VDD = 5 V
- 正控制，TTL 兼容：VCTL = 0 V 或 VDD
- 24 引脚，4 mm x 4 mm LFCSP 封装（16 mm²）
应用领域
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 测试设备
- PIN二极管替换