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SQJB46ELP-T1_BE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJB46ELP-T1_BE3
- 商品编号
- C17472414
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
- M80-9042002
- ZSS-105-03-T-D-670
- CTSRU1038F-3R5N
- SIT2018BE-S1-18E-25.166000
- 628-9W4-624-3T1
- 3-640468-8
- SG-8018CE 10.1400M-TJHSA0
- VPP12-800-B
- ECA-0030
- 180-M15-113R031
- 514BBC001369AAGR
- 2011970283
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- GP55-17R8-FTW
- MDM-100PCBR-A172
- 09185167322
- SIT8920AM-83-33E-25.000000
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