- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIZ200DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:61A 电流:22A 电流:22A 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ200DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17477023
- 商品封装
- PowerPAIR3x3S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- CPU核心电源
- 计算机/服务器外设负载点电源
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC电源
- DF1B-6P-2.5DSA(01)
- SG-8018CA 0.7450M-TJHPA0
- SIT9365AC-4B1-28N155.520000
- 66100411622
- 5280-0-15-01-16-01-40-0
- SIT1602BI-83-25N-38.400000
- H201CGDL
- SIT8208AC-GF-33S-33.300000Y
- ZSC31050BOARDV3P1S
- PL9309NLT
- 5680103030F
- SIT1602BC-23-XXE-74.250000
- MLEAWT-A1-0000-0001A5
- GCM21BR71C564MA37K
- SIT8208AC-GF-28S-32.768000X
- 25QHM572D1.0-13.000
- Q6016NH3RP
- TFM-135-02-L-D
- 00970027N
- A29200-051
- 25QHM53C0.125-19.200