TC58NVG1S3HBAI6
2 Gbit CMOS NAND E2PROM
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- 描述
- TC58NVG1S3HBAI6是一款单3.3V供电的2Gbit NAND Flash存储器，组织为(2048 + 128)字节×64页×2048块。该设备具有两个2176字节的静态寄存器，支持自动页面编程、自动块擦除等多种模式。工作电压为2.7V至3.6V，读周期时间为25ns，编程时间为300μs/页，擦除时间为2.5ms/块，工作温度范围为-40°C至85°C，数据保持时间为10年。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58NVG1S3HBAI6
- 商品编号
- C17472246
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 25ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 2.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | - |
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