TC58NVG1S3HBAI6

2 Gbit CMOS NAND E2PROM

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描述: TC58NVG1S3HBAI6是一款单3.3V供电的2Gbit NAND Flash存储器，组织为(2048 + 128)字节×64页×2048块。该设备具有两个2176字节的静态寄存器，支持自动页面编程、自动块擦除等多种模式。工作电压为2.7V至3.6V，读周期时间为25ns，编程时间为300μs/页，擦除时间为2.5ms/块，工作温度范围为-40°C至85°C，数据保持时间为10年。
品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TC58NVG1S3HBAI6
商品编号: C17472246
商品封装: VFBGA-67(6.5x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	2.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	50uA
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能