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TC58BYG1S3HBAI6实物图
  • TC58BYG1S3HBAI6商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

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描述
TC58BYG1S3HBAI6是一款1.8V 2Gbit (2,214,592,512 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)。它组织为 (2048+64) bytes x 64 pages x 2048 blocks。设备具有2112字节的静态寄存器,允许数据在寄存器和内存单元阵列之间以2112字节增量传输。擦除操作以单个块单位 (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 bytes x 64 pages) 实现。该设备是一种串行访问存储器,利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,适用于需要高密度非易失性内存数据存储的相机和其他系统。
品牌名称
KIOXIA(铠侠)
商品型号
TC58BYG1S3HBAI6
商品编号
C17474468
商品封装
VFBGA-67(6.5x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量2Gbit
接口类型-
工作电压1.7V~1.95V
属性参数值
写周期时间(Tw)25ns
页写入时间(Tpp)330us
块擦除时间(tBE)3.5ms
工作温度-40℃~+85℃

数据手册PDF

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