TC58BYG1S3HBAI6
TC58BYG1S3HBAI6
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- 描述
- TC58BYG1S3HBAI6是一款1.8V 2Gbit (2,214,592,512 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)。它组织为 (2048+64) bytes x 64 pages x 2048 blocks。设备具有2112字节的静态寄存器,允许数据在寄存器和内存单元阵列之间以2112字节增量传输。擦除操作以单个块单位 (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 bytes x 64 pages) 实现。该设备是一种串行访问存储器,利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,适用于需要高密度非易失性内存数据存储的相机和其他系统。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58BYG1S3HBAI6
- 商品编号
- C17474468
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 330us | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
优惠活动
购买数量
(338个/托盘,最小起订量 1 个)个
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总价金额:
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