UPA2756GR-E1-A
2个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2756GR-E1-A
- 商品编号
- C17470989
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这款创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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