N0604N-S19-AY
1个N沟道 耐压:60V 电流:82A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- N0604N-S19-AY
- 商品编号
- C17473289
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,41A | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品特性
- 低导通电阻：漏源导通电阻（RDS(on)）= 最大6.5 mΩ。（VGS = 10 V，ID = 41 A）
- 低输入电容：输入电容（Ciss）= 典型值4150 pF。（VDS = 25 V，VGS = 0 V）
- 高电流：直流漏极电流（ID(DC)）= ± 82 A
- 符合RoHS标准
- 质量等级：标准
应用领域
- 用于大电流开关
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