SIZF640DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:41A 电流:159A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF640DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17468866
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 159A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 对称双 N 沟道
- 倒装芯片技术实现优化散热设计
- 高端和低端 MOSFET 针对 50%占空比形成优化组合
应用领域
-升降压电路-半桥同步整流-电信 DC/DC 电源-电机驱动控制
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