- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 3.1nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
全桥高速沟槽 + 场截止 IGBT4 功率模块。VCES = 650V，IC = 50A（在 Tc = 60°C 时），引脚 3/4 必须短接在一起。
商品特性
- 高速沟槽 + 场截止 IGBT 4 技术
- 低压降
- 低泄漏电流
- 低开关损耗
- 极低杂散电感
- 用于温度监测的内部热敏电阻
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制
- 3-641218-2
- SIT1602BC-81-33E-74.176000
- SG-8018CE 35.6000M-TJHPA0
- 630-21W1650-1NC
- SIT8209AC-23-33E-150.000000
- M85049/130-36S
- SIT8008BI-21-XXE-16.000000
- SG-8018CE 9.5450M-TJHPA0
- 0086-4-17-15-30-14-02-0
- R25140
- SIT8209AC-23-18S-166.666660
- SIT8208AI-23-18S-24.576000
- JAN1N1204A
- HALL-HINGE-EVM
- PLBR80300
- SIT9365AC-2E2-28E250.000000
- 82-6551.1114
- XG4C-3034
- M83513/19-B01CW
- 3QHM53C0.125-12.288
- GCM31MR72A184KA37K