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APT35GN120L2DQ2G

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT35GN120L2DQ2G
商品编号: C17472296
商品封装: TO-264-3,TO-264AA
包装方式: 管装
商品毛重: 12.04克(g)

商品参数

商品概述

采用最新的非穿通（NPT）场截止技术，这些IGBT具有非常短且低幅值的尾电流和低关断能量（Eoff）。沟槽栅极设计带来了卓越的集电极 - 发射极导通电压（VCE(on)）性能。由于参数分布非常紧密且集电极 - 发射极导通电压（VCE(on)）温度系数略为正，因此易于并联。内置栅极电阻确保了超可靠的运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并使损耗最小化。

商品特性

1200V NPT场截止
沟槽栅极：低集电极 - 发射极导通电压（VCE(on)）
易于并联
10μs短路能力
集成栅极电阻：低电磁干扰，高可靠性

应用领域

焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	NPT(非穿通型)；FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	379W
	集射极击穿电压(Vces)	1.2kV
	集电极电流(Ic)	94A
	栅极阈值电压(Vge(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	220nC
	开启延迟时间(Td(on))	24ns
	关断延迟时间(Td(off))	300ns
	导通损耗(Eon)	-
	关断损耗(Eoff)	2.315mJ
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)