EVSTGAP2SICSN

EVSTGAP2SICSN是一款半桥评估板，旨在评估STGAP2SICSN隔离式单栅极驱动器。该栅极驱动器具有4A电流能力和轨到轨输出，使其也适用于高功率逆变器应用，如配备碳化硅功率开关的工业应用中的电机驱动器。分离的源极和漏极输出允许通过使用专用栅极电阻独立优化导通和关断。该器件集成了保护功能：欠压锁定（UVLO）和热关断功能，便于设计高可靠性系统。双输入引脚允许选择控制信号极性，并实现硬件互锁保护，以避免控制器故障时发生直通。该器件支持负栅极驱动，板载隔离式DC-DC转换器允许使用针对碳化硅优化的驱动电压工作。EVSTGAP2SICSN板允许在驱动电压额定值高达520V的半桥功率级时评估STGAP2SICSN的所有特性。如有需要，可以通过用H2PACK-7L或H2PACK-2L封装的合适器件替换功率开关以及C29电容来提高母线电压。该板上的组件易于访问和修改，以便在不同应用条件下更轻松地评估驱动器性能，并对最终应用组件进行精细调整。

• 半桥配置，高压轨高达520V
• SCT35N65：650V、55mΩ碳化硅MOSFET
• 负栅极驱动
• 板载隔离式DC-DC转换器，为高端和低端栅极驱动器供电，由VAUX = 5V供电，最大隔离电压为5.2kV
• 板载生成3.3V VDD逻辑电源或5V（外部施加）
• 易于通过跳线选择驱动电压配置：+17/0V；+17/-3V；+19/0V；+19/-3V
• 独立的灌电流和拉电流输出，便于栅极驱动配置
• 驱动器电流能力：在25℃时源/灌电流为4A
• 短传播延迟：75ns
• 欠压锁定（UVLO）功能
• 栅极驱动电压高达26V
• 带迟滞的3.3V、5V TTL/CMOS输入
• 温度关断保护
• 待机功能

• 高功率逆变器应用
• 工业电机驱动器