SSM6N7002BFE,LM
N沟道 耐压:60V 电流:200mA
- 描述
- 特性:小封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N7002BFE,LM
- 商品编号
- C17461588
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.6pF |
商品概述
VRF141G专为频率高达175MHz的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能,使得用于调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。
商品特性
- 小封装
- 低导通电阻:RDS(ON) = 3.3 Ω(最大值)(@VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) = 2.6 Ω(最大值)(@VGS = 5 V)
- RDS(ON) = 2.1 Ω(最大值)(@VGS = 10 V)
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用
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