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SSM6N7002BFE,LM实物图
  • SSM6N7002BFE,LM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM6N7002BFE,LM

N沟道 耐压:60V 电流:200mA

描述
特性:小封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM6N7002BFE,LM
商品编号
C17461588
商品封装
SOT-563(SOT-666)​
包装方式
编带
商品毛重
0.024302克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))3.3Ω@4.5V
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))3.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)17pF
反向传输电容(Crss)1.9pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)3.6pF

商品概述

VRF141G专为频率高达175MHz的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能,使得用于调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。

商品特性

  • 小封装
  • 低导通电阻:RDS(ON) = 3.3 Ω(最大值)(@VGS = 4.5 V)
  • RDS(ON) = 2.6 Ω(最大值)(@VGS = 5 V)
  • RDS(ON) = 2.1 Ω(最大值)(@VGS = 10 V)

应用领域

  • 高速开关应用
  • 模拟开关应用

数据手册PDF