商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW |
商品特性
- 氮化镓基碳化硅高电子迁移率晶体管(HEMT)技术
- 输出功率>1200 W
- 输入阻抗预匹配
- 极高效率 - 高达85%
- 能够承受20:1的电压驻波比(VSWR)失配
- 在模式S ELM脉冲条件下进行100%射频测试
- 符合RoHS和REACH标准
应用领域
- L波段电子敌我识别(IFF)和二次监视雷达(SSR)系统
- 适用于上行链路和下行链路(应答器)
- 也适用于标准模式S应用
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