HN1C01FU-GR,LF
NPN 电流:150mA 电压:50V
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- 描述
- 特性:AEC-Q101合格。 小封装(双类型)。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。应用:低频放大器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN1C01FU-GR,LF
- 商品编号
- C17458125
- 商品封装
- TSSOP-6(SC-88)SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 2个NPN |
- XHGAWT-00-0000-00000HX50
- 50927
- 334-10-159-00-100000
- 5-147381-6
- SIT8208AI-81-18S-37.500000
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- S-8120CNB-DRB-TF-G
- PCS125-4R7M-RC
- PC5933T
- 4781.0100
- TFML-120-01-S-D-K
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- EVAL-CN0582-USBZ
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- D50K2R0E
- WCM 1211FASV-102-LM
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