- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
VRF161是一款镀金硅N沟道射频功率晶体管,专为需要高功率和增益,同时不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 增强耐用性 V(BR)DSS = 170 V
- 在30MHz、50V条件下,功率200W,典型增益24dB
- 在150MHz、50V条件下,功率200W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 提供配对产品
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比能力达70:1
- 采用氮化物钝化处理
- 难熔金属镀金工艺
- 可作为MRF151的高功率替代产品
- 符合RoHS标准
- DLC0700BWM27RT-2
- STM065M6HN
- 712-87-132-41-001101
- 2029028-8
- GCM1885G1H9R0CA16D
- 2-2842284-4
- WP934GO/2GD
- CA50C1204GMT
- R88D-KN150F-ECT
- 770-945
- OXETGLJANF-38.880000
- BF240SD3GR2500
- VPP28-090
- SIT8209AI-83-28E-150.000000
- CPI1008K1R2R-10
- 09-0625-51
- SG-8018CG 133.333333M-TJHPA0
- L128-6580EC3500003
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- 5022R-241H
- S3M05T-12.000-R