商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@2.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
一款60 W的LDMOS功率晶体管，适用于高频至1000 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- 易于进行功率控制
- 集成双面ESD保护，支持C类工作模式，并可使晶体管完全关断
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带工作设计（高频至1000 MHz）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用