D2516ACXGXGRK-U

该DDR4 SDRAM容量为4G bits，组织形式为32M words x 16 bits x 8 banks，采用96-ball FBGA封装，无铅、无卤。电源供应符合JEDEC标准1.2V，VDD = 1.2V ± 0.06V，VPP = 2.5V +0.25V / -0.125V。数据速率为2666Mbps，有8个内部存储体，x16产品采用4个存储体x 2个存储体组的形式。接口为伪开漏（POD），突发长度（BL）为8和4（带突发分割BC），CAS延迟（CL）有多个可选值，CAS写延迟（CWL）也有多个可选值，支持自动预充电、自动刷新和自刷新等。平均刷新周期在0°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8 μs，在+85°C < TC ≤ +95°C时为3.9 μs，工作外壳温度范围为0°C至+95°C。

• 双倍数据速率架构：每个时钟周期进行两次数据传输。
• 通过8位预取流水线架构实现高速数据传输。
• 双向差分数据选通（DQS和/DQS）与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据。
• DQS在读取时与数据边缘对齐，在写入时与数据中心对齐。
• 差分时钟输入（CK_t和CK_c）。
• DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐。
• 数据掩码（DM）在数据选通的上升和下降沿写入数据。
• 支持写周期冗余码（CRC）。
• 支持可编程的读写前导码。
• 支持可编程突发长度4/8，具有半字节顺序和交错模式。
• 支持动态突发长度切换。
• 驱动强度由MRS选择。
• 支持动态片上终端。
• 两个终端状态（如RTT PARK和RTT NOM）可通过ODT引脚切换。
• 支持异步复位引脚。
• 支持ZQ校准。
• 支持写电平校准。
• 本产品符合RoHS指令。
• 可提供内部Vref DQ电平生成。
• 支持TCAR（温度控制自动刷新）模式。
• 支持LP ASR（低功耗自动自刷新）模式。
• 支持命令地址（CA）奇偶校验（命令/地址）模式。
• 支持每个DRAM可寻址性（PDA）。
• 支持精细粒度刷新。
• 支持降速模式（1/2速率，1/4速率）。
• 支持自刷新中止。
• 支持最大节能模式。
• 应用了存储体分组，同一或不同存储体组访问的存储体的CAS到CAS延迟（tCCD_L，tCCD_S）可用。
• DMI引脚支持写数据掩码和DBIdc功能。